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SA系列 激光位移传感器

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CMOS三角法测量型位移传感器。具备高精度、高稳定等特性,多种量程可选。超小体积尺寸,适用于多种安装环境。内置放大器,白色数显及面板设置,使用简易。
产品详情
下载资料

   产品特性 


● CMOS三角测距法,精确的测量精度;

● 超小体积尺寸,适用于各种安装环境;

● 配备多样化功能及测量模式,轻松应对多种应用需求;

● 内置放大器,白色数显及面板设置,使用简易;

● 坚固金属外壳,防护等级达IP67;

● 多种型号可供选择,满足不同应用场景需求;

● 经济款位移传感器,高性价比;


  规格参数  


种类 双重输出型 双重输出型 开关量输出型 双重输出型
型号名称 NPN输出 GS-SA030NX GS-SA050NX GS-SA100N GS-SA100NX
PNP输出 GS-SA030PX GS-SA050PX GS-SA100P GS-SA100PX
测量中心距离 30mm 50mm 100mm
测量范围 ±5mm ±15mm ±35mm
重复精度 10μm 50μm 100μm
直线性 ±0.2%F.S. ±0.2%F.S. ±0.2%F.S.
温度特性 0.03%F.S./℃
光源 红色半导体激光2类   最大输出:1mW、发光光束波长:655nm
光束直径 约?50μm 约?100μm 约?150μm
电源电压 12V~24V DC±10% 脉动P-P10%
消耗电流 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)
控制输出

<NPN输出型>NPN开路集电极晶体管;最大流入电流:50mA;外加电压:30V DC 以下(控制输出-0V之间); 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA下);漏电流:0.1mA以下

<PNP输出型>PNP开路集电极晶体管;最大源电流: 50mA;外加电压:30V DC以下(控制输出- +V之间);剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA下);漏电流 :0.1mA以下

输出动作 入光时ON/非入光时ON  可切换
短路保护 配备(自动恢复型)
模拟量输出 电压模拟量输出(警报时:+5.2V)

输出范围:0~5V

出阻抗:100Ω

输出范围:0~5V

输出阻抗:100Ω

——

输出范围:0~5V

输出阻抗:100Ω

电流模拟量输出(警报时:0mA)

输出范围:4~20mA

负载阻抗: 300Ω或更少

输出范围:4~20mA

负载阻抗: 300Ω或更少


——

输出范围:4~20mA

负载阻抗: 300Ω或更少


反应时间 1.5ms/5ms/10ms 可切换
外部输入 NPN无接点输入 有效:0V~+1.2V DC 输入阻抗:约10kΩ
保护构造 IP67(IEC)
污损程度 2
使用环境温度 -10℃~+40℃注意不可结露、结冰)、保存时:-20℃~+60℃
使用环境湿度 35%~85%RH、保存时:35%~85%RH
使用环境照度
白炽灯:受光面照明度3, 000?x 以下
使用标高 2,000m以下
电缆 带0.15mm? 5芯复合电缆2m
材质 本体外壳:铝铸件   前百盖板:丙烯基
重量 约35g(不含电缆)、约85g(含电缆)
适用规格 符合EMC指令


??(注):未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC、环境温度:+20℃、反应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色纸。



种类 开关量输出型 双重输出型 开关量输出型 双重输出型
型号名称 NPN输出 GS-SA200N GS-SA200NX GS-SA400N GS-SA400NX
PNP输出 GS-SA200P GS-SA200PX GS-SA400P GS-SA400PX
测量中心距离 200mm 400mm
测量范围 ±80mm ±200mm
重复精度
200μm
400μm(测量距离200mm~400mm)
800μm(测量距离400mm~600mm)
直线性 ±0.3%F.S.
±0.3%F.S.(测量距离200mm~400mm)
±0.3%F.S.(测量距离400mm~600mm)
温度特性
0.3%F.S./℃
光源

红色半导体激光2

最大输出:1mW、 发光光束波长:655nm

光束直径 约?300μm
约?500μm
电源电压
12V~24V DC ± 10% 脉动P-P10%
消耗电流
40mA以下(电源电压 24V DC时) 、60mA以下(电源电压12V DC 时)
控制输出

<NPN输出型>NPN开路集电极晶体管;最大流入电流:50mA;外加电压:30V DC 以下(控制输出 -0V之间);剩余电压:1. 5V以下(流入电流 50mA下);漏电流:0. 1mA以下


<PNP输出型>PNP开路集电极晶体管;最大源电流:50mA;外加电压:30V DC 以下(控制输出- +V之间);剩余电压:1. 5V以下(流出电流 50mA下);漏电流 :0. 1mA 以下


输出动作 入光时ON/非入光时ON 可切换
短路保护
配备(自动恢复型)
模拟量输出
电压模拟量输出(警报时:+5.2V )
——
输出范围:0~5V
输出阻抗:100Ω
——
输出范围:0~5V
输出阻抗:100Ω
电流模拟量输出(警报时:0mA)
——
输出范围:4~20mA
负载阻抗:300Ω或更少
——
输出范围:4~20mA
负载阻抗:300Ω或更少
反应时间 1.5ms/5ms/10ms 可切换
外部输入 NPN无接点输入 有效:0V~+1.2V DC 输入阻抗:约10kΩ
保护构造 IP67(IEC)
污损程度 2
使用环境温度
-10℃ ~+40℃(注意不可结露、结冰)、保存时:-20℃ ~+60℃
使用环境湿度
35%~85%RH 、保存时:35%~85%RH
使用环境照度
白炽灯:受光面照明度3, 000?x 以下
使用标高 2,000m以下
电缆 带0.15mm? 5芯复合电缆2m
材质 本体外壳:铝铸件  前面盖板:丙烯基
重量 约35g(不含电缆)、约85g(含电缆)
适用规格 符合EMC指令



??(注):未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC、环境温度:+20℃、反应时间: 10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色纸。



产品应用  


? 位置检测






? 厚度测量








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GS-EM系列 边缘测量传感器


产品资料
大小
GS-SA激光位移传感器 快速使用手册.pdf
3,549.7KB
下载
GS-SA激光位移传感器 2D尺寸图.pdf
520.8KB
下载
SA-激光位移 目录-01-CN-03122201.pdf
8,107.3KB
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CMOS三角法测量型位移传感器。具备高精度、高稳定等特性,多种量程可选。超小体积尺寸,适用于多种安装环境。内置放大器,白色数显及面板设置,使用简易。
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   产品特性 


● CMOS三角测距法,精确的测量精度;

● 超小体积尺寸,适用于各种安装环境;

● 配备多样化功能及测量模式,轻松应对多种应用需求;

● 内置放大器,白色数显及面板设置,使用简易;

● 坚固金属外壳,防护等级达IP67;

● 多种型号可供选择,满足不同应用场景需求;

● 经济款位移传感器,高性价比;


  规格参数  


种类 双重输出型 双重输出型 开关量输出型 双重输出型
型号名称 NPN输出 GS-SA030NX GS-SA050NX GS-SA100N GS-SA100NX
PNP输出 GS-SA030PX GS-SA050PX GS-SA100P GS-SA100PX
测量中心距离 30mm 50mm 100mm
测量范围 ±5mm ±15mm ±35mm
重复精度 10μm 50μm 100μm
直线性 ±0.2%F.S. ±0.2%F.S. ±0.2%F.S.
温度特性 0.03%F.S./℃
光源 红色半导体激光2类   最大输出:1mW、发光光束波长:655nm
光束直径 约?50μm 约?100μm 约?150μm
电源电压 12V~24V DC±10% 脉动P-P10%
消耗电流 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)
控制输出

<NPN输出型>NPN开路集电极晶体管;最大流入电流:50mA;外加电压:30V DC 以下(控制输出-0V之间); 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA下);漏电流:0.1mA以下

<PNP输出型>PNP开路集电极晶体管;最大源电流: 50mA;外加电压:30V DC以下(控制输出- +V之间);剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA下);漏电流 :0.1mA以下

输出动作 入光时ON/非入光时ON  可切换
短路保护 配备(自动恢复型)
模拟量输出 电压模拟量输出(警报时:+5.2V)

输出范围:0~5V

出阻抗:100Ω

输出范围:0~5V

输出阻抗:100Ω

——

输出范围:0~5V

输出阻抗:100Ω

电流模拟量输出(警报时:0mA)

输出范围:4~20mA

负载阻抗: 300Ω或更少

输出范围:4~20mA

负载阻抗: 300Ω或更少


——

输出范围:4~20mA

负载阻抗: 300Ω或更少


反应时间 1.5ms/5ms/10ms 可切换
外部输入 NPN无接点输入 有效:0V~+1.2V DC 输入阻抗:约10kΩ
保护构造 IP67(IEC)
污损程度 2
使用环境温度 -10℃~+40℃注意不可结露、结冰)、保存时:-20℃~+60℃
使用环境湿度 35%~85%RH、保存时:35%~85%RH
使用环境照度
白炽灯:受光面照明度3, 000?x 以下
使用标高 2,000m以下
电缆 带0.15mm? 5芯复合电缆2m
材质 本体外壳:铝铸件   前百盖板:丙烯基
重量 约35g(不含电缆)、约85g(含电缆)
适用规格 符合EMC指令


??(注):未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC、环境温度:+20℃、反应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色纸。



种类 开关量输出型 双重输出型 开关量输出型 双重输出型
型号名称 NPN输出 GS-SA200N GS-SA200NX GS-SA400N GS-SA400NX
PNP输出 GS-SA200P GS-SA200PX GS-SA400P GS-SA400PX
测量中心距离 200mm 400mm
测量范围 ±80mm ±200mm
重复精度
200μm
400μm(测量距离200mm~400mm)
800μm(测量距离400mm~600mm)
直线性 ±0.3%F.S.
±0.3%F.S.(测量距离200mm~400mm)
±0.3%F.S.(测量距离400mm~600mm)
温度特性
0.3%F.S./℃
光源

红色半导体激光2

最大输出:1mW、 发光光束波长:655nm

光束直径 约?300μm
约?500μm
电源电压
12V~24V DC ± 10% 脉动P-P10%
消耗电流
40mA以下(电源电压 24V DC时) 、60mA以下(电源电压12V DC 时)
控制输出

<NPN输出型>NPN开路集电极晶体管;最大流入电流:50mA;外加电压:30V DC 以下(控制输出 -0V之间);剩余电压:1. 5V以下(流入电流 50mA下);漏电流:0. 1mA以下


<PNP输出型>PNP开路集电极晶体管;最大源电流:50mA;外加电压:30V DC 以下(控制输出- +V之间);剩余电压:1. 5V以下(流出电流 50mA下);漏电流 :0. 1mA 以下


输出动作 入光时ON/非入光时ON 可切换
短路保护
配备(自动恢复型)
模拟量输出
电压模拟量输出(警报时:+5.2V )
——
输出范围:0~5V
输出阻抗:100Ω
——
输出范围:0~5V
输出阻抗:100Ω
电流模拟量输出(警报时:0mA)
——
输出范围:4~20mA
负载阻抗:300Ω或更少
——
输出范围:4~20mA
负载阻抗:300Ω或更少
反应时间 1.5ms/5ms/10ms 可切换
外部输入 NPN无接点输入 有效:0V~+1.2V DC 输入阻抗:约10kΩ
保护构造 IP67(IEC)
污损程度 2
使用环境温度
-10℃ ~+40℃(注意不可结露、结冰)、保存时:-20℃ ~+60℃
使用环境湿度
35%~85%RH 、保存时:35%~85%RH
使用环境照度
白炽灯:受光面照明度3, 000?x 以下
使用标高 2,000m以下
电缆 带0.15mm? 5芯复合电缆2m
材质 本体外壳:铝铸件  前面盖板:丙烯基
重量 约35g(不含电缆)、约85g(含电缆)
适用规格 符合EMC指令



??(注):未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC、环境温度:+20℃、反应时间: 10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色纸。



产品应用  


? 位置检测






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产品资料
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GS-SA激光位移传感器 快速使用手册.pdf
3,549.7KB
2022-05-11 14:11:52
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GS-SA激光位移传感器 2D尺寸图.pdf
520.8KB
2022-05-11 14:12:00
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SA-激光位移 目录-01-CN-03122201.pdf
8,107.3KB
2023-12-22 18:21:22
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