在半导体制造中，前道量测至关重要。晶圆在光刻、刻蚀、沉积等核心工艺中，任何纳米级偏差都会直接影响器件性能与良率。前道量测通过对薄膜厚度、元素浓度、内部应力等参数进行实时监测与反馈，量测设备确保每一步工艺维持在最佳范围，将偏差压缩至极限，从而提升晶圆制造的良率与性能。可以说，前道量测是连接设计与制造的关键环节，也是保证芯片性能与可靠性的基石。
盖泽自创立以来，始终专注于为半导体行业提供可靠的前道量测解决方案。依托自主研发的光学系统与深厚的技术积累，公司逐步构建起完善的前道量测设备矩阵。研发团队在 FTIR 红外膜厚量测、元素浓度分析、晶圆内部应力分析、椭偏薄膜量测等关键领域取得多项核心专利，并已成功转化为成熟的量产设备。经过多家晶圆厂与 Fab 厂商的严格验证，这些设备实现了稳定批量出货，充分体现了盖泽在高精度量测环节的技术实力与产业化能力。
盖泽前道量测设备矩阵
IR系列外延膜厚量测设备
盖泽IR系列晶圆外延层膜厚测量设备是用于半导体制造过程中对晶圆外延层膜厚进行精确测量的关键设备，此设备应用于半导体前道量测。
EC系列FTIR元素浓度量测设备
盖泽EC300是盖泽半导体利用自身成熟的FTIR光学技术结合先进的半导体工厂自动化程序，推出的新一代半导体晶圆前道量测设备，可用于掺杂剂浓度监测工序。
ID300晶圆内部应力分析设备
ID300是盖泽自研设计的一款用于高精度，无损检测晶圆内部残余应力的先进设备。它能够快速扫描整个晶圆，并以直观的应力分布图(Map)形式呈现结果，帮助用户快速定位应力集中区域，是优化生产工艺，提升产品良率和可靠性的关键工具。
EP300椭偏膜厚量测设备
盖泽EP300集成光谱椭偏法（SE）和光谱反射法（SR），利用不同材料折射率和消光系数的差异，通过测量偏振光在晶圆薄膜表面反射后偏振状态的变化，实现埃米级精度的膜厚测量，从而协助用户精准管理晶圆薄膜工艺。
以上几款是盖泽当前深受客户认可的热门量测设备。同时，公司也在不断推进新产品研发，未来将推出更多创新解决方案，持续满足半导体产业对高精度量测的多样化需求。